Параметры отечественных биполярных транзисторов

Страница обновлена

Главная Обо мне Гостевая книга Обратная связь Новости Ссылки Космонавтика Софт Антенны Конструкции Схемы Модернизация Радиолюбительская технология Справочники QSL-bureau

Главная / Справочники /..

А.И. Кизлюк   Справочник по устройству и ремонту телефонных аппаратов
зарубежного и отечественного производства. 1999г.
Печатается с разрешения автора. a.kizluk@relcom.ru

Тип транзистора Струк-
тура		 Uкбо (и), B UкэR [гр] (и), В Iк max [T] (и), mA Рк max[T] (и), Вт h21э Iкбо[кэо]
мкА		 fгр. МГц Uкэн, B
[Кур], дВ		 Ск, пф t сп, мкс
[Тк], пс		 № рис
КТ814В p-n-p --- 70 1,5 (3) 1 [10] 40-275 <50 >3 <0,6 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ814Г p-n-p --- 100 1,5 (3) 1 [10] 30-275 <50 >3 <0,6 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ8140А1  n-p-n  400  [200]  7 (10)  [60]  >10  <1mA  >10   <1  --- <750  
КТ8140Б1   n-p-n  400  [200]  7 (10)  [40]  >10  <1mA  >10   <1  ---  <750  
КТ815А  n-p-n --- 40 1,5 (3) 1 [10] 40-275 <50 >3 <0,6 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ815А2  n-p-n --- 40 1,5 (3) 1 [10] >200 <50 >3 <0,6 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ815Б  n-p-n --- 50 1,5 (3) 1 [10] 40-275 <50 >3 <0,6 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ815В  n-p-n --- 70 1,5 (3) 1 [10] 40-275 <50 >3 <0,6 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ815Г  n-p-n --- 100 1,5 (3) 1 [10] 30-275 <50 >3 <0,6 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ816А  p-n-p  40  40  3 (6)  1 [25] 25-275   <100  >3  <0,6  <60  --- Т22а(ЭКБ)
КТ816А2  p-n-p  40  40   3 (6)   1 [25] >200    <100  >3  <0,6  <60  --- Т22а(ЭКБ)
КТ816Б  p-n-p  45  45   3 (6)   1 [25] 25-275    <100  >3  <0,6  <60  --- Т22а(ЭКБ)
КТ816В  p-n-p  60  60   3 (6)   1 [25] 25-275    <100  >3  <0,6  <60  --- Т22а(ЭКБ)
КТ816Г  p-n-p  100  100   3 (6)   1 [25] 25-275    <100  >3  <0,6  <60  --- Т22а(ЭКБ)
КТ8163А  n-p-n 600 [500] (10) 1,5 [50] 6-40  <100 >10 <0,5 <100 <300 Т23б(ЭБК)
КТ8167А p-n-p 100 100 [60] 2 (4) 0,8 [10] 80-250 <0,2 >30 <0,35 <400 (<1,8) Т5
КТ8167Б p-n-p 80 80 [60] 2 (4) 0,8 [10] 80-250 <0,2 >30 <0,35 <400 (<1,8) Т5
КТ8167В p-n-p 50 50 [40] 2 (4) 0,8 [10] 80-250 <0,2 >30 <0,35 <400 (<1,8) Т5
КТ8167Г p-n-p 100 100 [80] 2 (4) 0,8 [10] 40-160 <0,2 >30 <0,35 <400 (<1,8) Т5
КТ8167Д p-n-p 80 80 [60] 2 (4) 0,8 [10] 160-350 <0,2 >30 <0,35 <400 (<1,8) Т5
КТ8168А   n-p-n  100  100 [60]  2 (4)  0,8 [10] 80-250  <0,2  >30 <0,35  <400  (<1,8) Т5
КТ8168Б   n-p-n  80  80 [60]  2 (4)  0,8 [10] 80-250  <0,2  >30 <0,35  <400  (<1,8) Т5
КТ8168В   n-p-n  50  50 [40]  2 (4)  0,8 [10] 80-250  <0,2  >30 <0,35  <400  (<1,8) Т5
КТ8168Г   n-p-n  100  100 [80]  2 (4)  0,8 [10] 40-160  <0,2  >30 <0,35  <400  (<1,8) Т5
КТ8168Д   n-p-n  80  80 [60]  2 (4)  0,8 [10] 160-350  <0,2  >30 <0,35  <400  (<1,8) Т5
КТ817А  n-p-n 40 40 3 (6)  1 [25] 25-275   <100 >3 <0,6 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ817Б  n-p-n 45 45 3 (6) 1 [25] 25-275   <100 >3 <0,6 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ817Б2  n-p-n 45 45 3 (6) 1 [25] >100   <100 >3 <0,12 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ817В  n-p-n 60 60 3 (6) 1 [25] 25-275   <100 >3 <0,6 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ817Г  n-p-n 100 100 3 (6) 1 [25] 25-275   <100 >3 <0,6 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ817Г2  n-p-n 100 100 3 (6) 1 [25] >100   <100 >3 <0,12 <60 --- Т22а(ЭКБ)
КТ8175А  n-p-n 700 [400] 1,5 (3) [25] 8-40  <1mA >4 <3 <21 <400 Т22а(ЭКБ)
КТ8175Б  n-p-n 600 [300] 1,5 (3) [25] 5-25  <1mA >4 <3 <21 <400 Т22а(ЭКБ)
КТ818А p-n-p 40 40 [25] 10 (15) 1,5 [60] 15-225  <1mA >3 <2 <1000 (<1,2) Т23б(ЭБК)
КТ818Б p-n-p 50 50 [40] 10 (15) 1,5 [60] 20-225  <1mA >3 <2 <1000 (<1,2) Т23б(ЭБК)
КТ818В p-n-p 70 70 [60] 10 (15) 1,5 [60] 15-225  <1mA >3 <2 <1000 (<1,2) Т23б(ЭБК)
КТ818Г p-n-p 90 90 [80] 10 (15) 1,5 [60] 12-225  <1mA >3 <2 <1000 (<1,2) Т23б(ЭБК)
КТ818АМ p-n-p 40 40 15 (20) 2 [100] 15-250  <1mA >3 <2 <1000 (<1,2) Т10а
КТ818БМ p-n-p 50 50 15 (20) 2 [100] 20-225  <1mA >3 <2 <1000 (<1,2) Т10а
КТ818ВМ p-n-p 70 70 15 (20) 2 [100] 15-225  <1mA >3 <2 <1000 (<1,2) Т10а
КТ818ГМ p-n-p 90 90 15 (20) 2 [100] 12-225  <1mA >3 <2 <1000 (<1,2) Т10а
2Т818А p-n-p 100 100 15 (20) 3 [100] 20-200  <1mA >3 <1 <1000 (<1,2) Т10а
2Т818Б p-n-p 80 80 15 (20) 3 [100] 20-225  <1mA >3 <1 <1000 (<1,2) Т10а
2Т818В p-n-p 60 60 15 (20) 3 [100] 20-225  <1mA >3 <1 <1000 (<1,2) Т10а
КТ8181А p-n-p 700 [400] 4 (8) [50] 10-60  <1mA >4 <1 <65 <400 Т23а(БКЭ)
КТ8181Б p-n-p 600 [300] 4 (8) [50] 8-60  <1mA >4 <1 <65 <400 Т23а(БКЭ)
КТ8182А  n-p-n 700 [400] 8 (16) [50] 8-60  <1mA >4 <1,5 <110 <150 Т23а(БКЭ)
КТ8182Б  n-p-n 600 [300] 8 (16) [50] 5-30  <1mA >4 <1,5 <110 <150 Т23а(БКЭ)
КТ8183А  n-p-n 1500 [700] 5 (8) [100] >3,5 0,5mA --- --- --- <300 Т28
КТ8183Б  n-p-n 1300 [600] 5 (8) [100] >5 0,5mA --- --- --- <300 Т28
КТ8183А1  n-p-n 1500 [700] 5 (8) [100] >3,5 0,5mA --- --- --- <300 Т10а
КТ8183Б1  n-p-n 1300 [600] 5 (8) [100] >5 0,5mA --- --- --- <300 Т10а
КТ819А   n-p-n 40 40  10 (15)  1,5 [60]  15-275   <1mA  >3 <2  <1000 (<1,2) Т23а(БКЭ)
КТ819Б   n-p-n 50 50  10 (15)  1,5 [60]  20-275   <1mA  >3  <2   <1000  (<1,2) Т23а(БКЭ)
КТ819В   n-p-n 70 70  10 (15)  1,5 [60]  15-275   <1mA  >3  <2   <1000  (<1,2) Т23а(БКЭ)
КТ819Г   n-p-n 100 100  10 (15)  1,5 [60]  12-275   <1mA  >3  <2  <1000  (<1,2) Т23а(БКЭ)
КТ819АМ   n-p-n 40 40  15 (20)  2 [100]  15-275   <1mA  >3  <2   <1000  (<1,2) Т10а
КТ819БМ   n-p-n 50 50  15 (20)  2 [100]  20-275   <1mA  >3  <2   <1000  (<1,2) Т10а
КТ819ВМ   n-p-n 70 70  15 (20)  2 [100]  15-275   <1mA  >3  <2   <1000  (<1,2) Т10а
КТ819ГМ   n-p-n 100 100  15 (20)  2 [100]  12-275   <1mA  >3  <2   <1000  (<1,2) Т10а
2Т819А   n-p-n 100 100  15 (20)  3 [100]  20-200   <1mA  >3 <1   <1000  (<1,2) Т10а
2Т819Б   n-p-n 80 80  15 (20)  3 [100]  20-200   <1mA  >3 <1   <1000  (<1,2) Т10а
2Т819В   n-p-n 60 60  15 (20)  3 [100]  20-200   <1mA  >3 <1   <1000  (<1,2) Т10а
2Т825А* p-n-p  --- 100 20 (40) 3 [125] 500-18000 [<1mA] >4 <2 <600 --- Т10а
2Т825Б* p-n-p  --- 80 20 (40) 3 [125] 750-18000 [<1mA] >4 <2 <600 --- Т10а
2Т825В* p-n-p  --- 60 20 (40) 3 [125] 750-18000 [<1mA] >4 <2 <600 --- Т10а

* составные транзисторы.

На главнуюВернуться на главную     НаверхНаверх